IRFU320

Symbol Micros: TIRFU320
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 400V; 20V; 1,8Ohm; 3,1A; 42W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFU320PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,8Ohm
Maksymalny prąd drenu: 3,1A
Maksymalna tracona moc: 42W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 400V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFU320PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. 450+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2032
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFU320PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
2025 szt.
ilość szt. 375+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3601
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFU320PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
6825 szt.
ilość szt. 375+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5804
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 1,8Ohm
Maksymalny prąd drenu: 3,1A
Maksymalna tracona moc: 42W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 400V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT