IRFU4510PBF
Symbol Micros:
TIRFU4510
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 13,9mOhm; 63A; 143W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 13,9mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 63A |
Maksymalna tracona moc: | 143W |
Obudowa: | TO251 (IPACK) |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFU4510PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 75+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 5,9900 | 4,1800 | 3,5500 | 3,2800 | 3,1500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFU4510PBF
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
2850 szt.
ilość szt. | 225+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,1500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFU4510PBF
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
225 szt.
ilość szt. | 15+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,1500 |
Rezystancja otwartego kanału: | 13,9mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 63A |
Maksymalna tracona moc: | 143W |
Obudowa: | TO251 (IPACK) |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |