IRFU4510PBF

Symbol Micros: TIRFU4510
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 13,9mOhm; 63A; 143W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 13,9mOhm
Maksymalny prąd drenu: 63A
Maksymalna tracona moc: 143W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFU4510PBF RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
cena netto (PLN) 5,9900 4,1800 3,5500 3,2800 3,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFU4510PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
2850 szt.
ilość szt. 225+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFU4510PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
225 szt.
ilość szt. 15+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
15
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 13,9mOhm
Maksymalny prąd drenu: 63A
Maksymalna tracona moc: 143W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT