IRFU5305

Symbol Micros: TIRFU5305
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU5305PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 65mOhm
Maksymalny prąd drenu: 31A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFU5305PBF RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
cena netto (PLN) 4,9000 3,4300 2,9100 2,6800 2,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75/300
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFU5305PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
6895 szt.
ilość szt. 375+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFU5305PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
300 szt.
ilość szt. 15+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
15
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 65mOhm
Maksymalny prąd drenu: 31A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT