IRFU5305
Symbol Micros:
TIRFU5305
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU5305PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 65mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 31A |
Maksymalna tracona moc: | 110W |
Obudowa: | TO251 (IPACK) |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFU5305PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 75+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 4,9000 | 3,4300 | 2,9100 | 2,6800 | 2,5800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFU5305PBF
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
6895 szt.
ilość szt. | 375+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,5800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFU5305PBF
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
300 szt.
ilość szt. | 15+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,5800 |
Rezystancja otwartego kanału: | 65mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 31A |
Maksymalna tracona moc: | 110W |
Obudowa: | TO251 (IPACK) |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |