IRFU5410PBF
Symbol Micros:
TIRFU5410
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 205mOhm; 13A; 66W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 205mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 13A |
| Maksymalna tracona moc: | 66W |
| Obudowa: | TO251 (IPACK) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFU5410PBF
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
330 szt.
| ilość szt. | 15+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,8674 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFU5410PBF
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
1117 szt.
| ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,9139 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 205mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 13A |
| Maksymalna tracona moc: | 66W |
| Obudowa: | TO251 (IPACK) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |