IRFU9024NPBF

Symbol Micros: TIRFU9024n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor P-MOSFET; 55V; 20V; 175mOhm; 11A; 38W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 175mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 38W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFU9024NPBF RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
ilość szt. 2+ 5+ 20+ 75+ 300+
cena netto (PLN) 2,7600 2,0500 1,5200 1,3000 1,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFU9024NPBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
1425 szt.
ilość szt. 15+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
15
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFU9024NPBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
29756 szt.
ilość szt. 675+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 175mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 38W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT