IRFUC20
Symbol Micros:
TIRFUC20
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 20V; 7Ohm; 2A; 42W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFUC20PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 7Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2A |
| Maksymalna tracona moc: | 42W |
| Obudowa: | TO251 (IPACK) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFUC20 RoHS
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
| ilość szt. | 2+ | 5+ | 20+ | 75+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,3400 | 2,4700 | 1,8300 | 1,5700 | 1,4500 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFUC20PBF
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
3991 szt.
| ilość szt. | 375+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 7Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2A |
| Maksymalna tracona moc: | 42W |
| Obudowa: | TO251 (IPACK) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |