IRFZ14
Symbol Micros:
TIRFZ14
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 10A; 43W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ14PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 43W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFZ14 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
25 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,5100 | 1,5700 | 1,2300 | 1,1600 | 1,0900 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFZ14PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
| ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 43W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |