IRFZ34N

Symbol Micros: TIRFZ34n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 40mOhm; 29A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ34NPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 40mOhm
Maksymalny prąd drenu: 29A
Maksymalna tracona moc: 68W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFZ34N RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,8700 1,8000 1,4100 1,3300 1,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFZ34N RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,8700 1,8000 1,4100 1,3300 1,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFZ34NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
68836 szt.
ilość szt. 600+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFZ34NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
1660 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFZ34NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 40mOhm
Maksymalny prąd drenu: 29A
Maksymalna tracona moc: 68W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT