IRFZ34N
Symbol Micros:
TIRFZ34n
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 40mOhm; 29A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ34NPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 40mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 29A |
Maksymalna tracona moc: | 68W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFZ34N RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,8700 | 1,8000 | 1,4100 | 1,3300 | 1,2500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFZ34N RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,8700 | 1,8000 | 1,4100 | 1,3300 | 1,2500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFZ34NPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
68836 szt.
ilość szt. | 600+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,2500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFZ34NPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1660 szt.
ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,2500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFZ34NPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,2500 |
Rezystancja otwartego kanału: | 40mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 29A |
Maksymalna tracona moc: | 68W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |