IRFZ34NS
Symbol Micros:
TIRFZ34ns
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 40mOhm; 29A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ34NSTRLPBF; IRFZ34NSPBF; IRFZ34NSTRRPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 40mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 29A |
| Maksymalna tracona moc: | 68W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFZ34NSTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
5600 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2868 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFZ34NSTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
1070 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,5277 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 40mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 29A |
| Maksymalna tracona moc: | 68W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |