IRG4BC20FD

Symbol Micros: TIRG4bc20fd
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 16A; 64A; 60W; 3,0V~6,0V; 40nC; -55°C~150°C; IRG4BC20FDPBF;
Parametry
Ładunek bramki: 40nC
Maksymalna moc rozpraszana: 60W
Maksymalny prąd kolektora: 16A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 64A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 3,0V ~ 6,0V
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRG4BC20FDPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 14,0800 12,5200 11,5800 11,1100 10,8300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ładunek bramki: 40nC
Maksymalna moc rozpraszana: 60W
Maksymalny prąd kolektora: 16A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 64A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 3,0V ~ 6,0V
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: THT