IRG4BC30FD-S

Symbol Micros: TIRG4bc30fd-s
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 31A; 120A; 100W; 3,0V~6,0V; 77nC; -55°C~150°C;
Parametry
Ładunek bramki: 77nC
Maksymalna moc rozpraszana: 100W
Maksymalny prąd kolektora: 31A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 120A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 3,0V ~ 6,0V
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: International Rectifier
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRG4BC30FD-S RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
27 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 10,5800 8,8700 7,8900 7,2800 7,0500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ładunek bramki: 77nC
Maksymalna moc rozpraszana: 100W
Maksymalny prąd kolektora: 31A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 120A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 3,0V ~ 6,0V
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: International Rectifier
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: SMD