IRG4BC30S-S

Symbol Micros: TIRG4bc30s-s
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
rys. techniczny
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 34A; 68A; 100W; 3,0V~6,0V; 75nC; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRG4BC30S-STRLP;
Parametry
Ładunek bramki: 75nC
Maksymalna moc rozpraszana: 100W
Maksymalny prąd kolektora: 34A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 68A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 3,0V ~ 6,0V
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: International Rectifier
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRG4BC30S-S RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
9 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 9,9000 8,3000 7,3800 6,8100 6,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ładunek bramki: 75nC
Maksymalna moc rozpraszana: 100W
Maksymalny prąd kolektora: 34A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 68A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 3,0V ~ 6,0V
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: International Rectifier
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: SMD