IRG4BC40S

Symbol Micros: TIRG4bc40s
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 160W; 3,0V~6,0V; 150nC; -55°C~150°C; IRG4BC40SPBF
Parametry
Ładunek bramki: 150nC
Maksymalna moc rozpraszana: 160W
Maksymalny prąd kolektora: 60A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 120A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 3,0V ~ 6,0V
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRG4BC40SPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 16,8900 15,0100 13,8900 13,3300 12,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ładunek bramki: 150nC
Maksymalna moc rozpraszana: 160W
Maksymalny prąd kolektora: 60A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 120A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 3,0V ~ 6,0V
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: THT