IRGB15B60KD
Symbol Micros:
TIRGB15b60kd
Obudowa: TO220
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 31A; 62A; 208W; 3,5V~5,5V; 84nC; -55°C~150°C;
Parametry
Ładunek bramki: | 84nC |
Maksymalna moc rozpraszana: | 208W |
Maksymalny prąd kolektora: | 31A |
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 62A |
Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 3,5V ~ 5,5V |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | International Rectifier |
Ładunek bramki: | 84nC |
Maksymalna moc rozpraszana: | 208W |
Maksymalny prąd kolektora: | 31A |
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 62A |
Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 3,5V ~ 5,5V |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | International Rectifier |
Napięcie kolektor-emiter: | 600V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Napięcie bramka-emiter: | 20V |
Montaż: | THT |