IRGB15B60KD

Symbol Micros: TIRGB15b60kd
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 31A; 62A; 208W; 3,5V~5,5V; 84nC; -55°C~150°C;
Parametry
Ładunek bramki: 84nC
Maksymalna moc rozpraszana: 208W
Maksymalny prąd kolektora: 31A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 62A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 3,5V ~ 5,5V
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRGB15B60KD RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
19 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 12,0000 10,3700 9,4100 8,8000 8,5700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ładunek bramki: 84nC
Maksymalna moc rozpraszana: 208W
Maksymalny prąd kolektora: 31A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 62A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 3,5V ~ 5,5V
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: THT