IRGP50B60PD1-EP

Symbol Micros: TIRGP50b60pd1-ep
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247AD
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 75A; 150A; 390W; 3,0V~5,0V; 308nC; -55°C~150°C;
Parametry
Ładunek bramki: 308nC
Maksymalna moc rozpraszana: 390W
Maksymalny prąd kolektora: 75A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 150A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 3,0V ~ 5,0V
Obudowa: TO247AD
Producent: International Rectifier
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRGP50B60PD1-EP RoHS Obudowa dokładna: TO247AD karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 27,8600 25,6700 24,3200 23,6400 23,2200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ładunek bramki: 308nC
Maksymalna moc rozpraszana: 390W
Maksymalny prąd kolektora: 75A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 150A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 3,0V ~ 5,0V
Obudowa: TO247AD
Producent: International Rectifier
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: THT