IRL1004
Symbol Micros:
TIRL1004
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 16V; 9mOhm; 130A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRL1004PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 130A |
| Maksymalna tracona moc: | 200W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRL1004 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 11,1800 | 9,1600 | 7,9800 | 7,2600 | 6,9900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRL1004PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,9900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRL1004PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
200 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,9900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 130A |
| Maksymalna tracona moc: | 200W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 16V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |