IRL3705N

Symbol Micros: TIRL3705n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRL3705NPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 18mOhm
Maksymalny prąd drenu: 89A
Maksymalna tracona moc: 170W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRL3705NPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
94 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,4900 3,8500 3,0800 2,9900 2,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Producent: Infineon Symbol producenta: IRL3705NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
307450 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRL3705NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
800 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,0613
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 18mOhm
Maksymalny prąd drenu: 89A
Maksymalna tracona moc: 170W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT