IRL540
Symbol Micros:
TIRL540pbf
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRL540PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 110mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 28A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Siliconix |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRL540 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
30 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,9400 | 3,4600 | 2,7700 | 2,6900 | 2,6000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 110mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 28A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Siliconix |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 10V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |
Odpowiedniki
IRL540N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRL540NPBF;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRL540NPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
31 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 31+ | 124+ | 496+ |
| cena netto (PLN) | 3,8900 | 2,4500 | 2,0300 | 1,7900 | 1,6900 |
Sposób pakowania: 31
Ilość (wielokrotność 1)
IRL540N UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 28mOhm; 30A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRL540PBF; IRL540NPBF; SP001576440;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
IRL540N RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
100 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
| cena netto (PLN) | 3,5700 | 2,2400 | 1,7500 | 1,6500 | 1,5500 |
Sposób pakowania: 50/100
Ilość (wielokrotność 1)