IRL6342PBF International Rectifier
Symbol Micros:
TIRL6342
Obudowa: SOIC08
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 19mOhm; 9,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRL6342TRPBF; IRL6342PBF SPQ96; IRL6342PBF-GURT;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 19mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOIC08 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRL6342TRPBF RoHS
Obudowa dokładna: SOIC08t/r
Stan magazynowy:
1200 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,9700 | 1,1900 | 0,9170 | 0,8270 | 0,7870 |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRL6342TRPBF RoHS
Obudowa dokładna: SOIC08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
43 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,9700 | 1,1900 | 0,9170 | 0,8270 | 0,7870 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRL6342TRPBF
Obudowa dokładna: SOIC08
Magazyn zewnetrzny:
2800 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7870 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRL6342TRPBF
Obudowa dokładna: SOIC08
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7870 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 19mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOIC08 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |