IRL6372TRPBF JGSEMI
Symbol Micros:
TIRL6372 JGS
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 38mOhm; 8,5A; 3,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRL6372PBF; IRL6372TRPBF; SP001568406; SP001569038;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 38mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,7W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | JGSEMI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 38mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,7W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | JGSEMI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRL6372TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 23mOhm; 8,1A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRL6372TRPBF; IRL6372PBF-GURT; SP001569038; IRL6372PBF;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRL6372TRPBF
Obudowa dokładna:
SOP08
Stan magazynowy
8000 szt.
| Ilość szt. | 4000+ |
| cena netto (PLN) | 0,9475 |
Sposób pakowania: 4000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRL6372TRPBF
Obudowa dokładna:
SOP08
Stan magazynowy
1700 szt.
| Ilość szt. | 50+ |
| cena netto (PLN) | 1,1260 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)