IRBL3813
Symbol Micros:
TIRLB3813
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 2,6mOhm; 260A; 230W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRBL3813PBF; IRLB3813PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,6mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 260A |
| Maksymalna tracona moc: | 230W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRLB3813 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,2100 | 5,3500 | 4,4500 | 4,3400 | 4,2400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLB3813PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
14269 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,2400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLB3813PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
200 szt.
| ilość szt. | 10+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,2400 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,6mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 260A |
| Maksymalna tracona moc: | 230W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |