IRLB4132
Symbol Micros:
TIRLB4132
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLB4132PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 150A |
| Maksymalna tracona moc: | 140W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRLB4132PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,5700 | 2,2600 | 1,7800 | 1,6200 | 1,5500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLB4132PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
1400 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,5500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 150A |
| Maksymalna tracona moc: | 140W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |