IRLB8743

Symbol Micros: TIRLB8743
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 4,2mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLB8743PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4,2mOhm
Maksymalny prąd drenu: 150A
Maksymalna tracona moc: 140W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRLB8743PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
70 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,0000 3,5000 2,8000 2,7200 2,6300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/900
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLB8743PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
90 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,0000 3,5000 2,8000 2,7200 2,6300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLB8743PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
41200 szt.
ilość szt. 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,6300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLB8743PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
280 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,1095
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLB8743PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,6300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 4,2mOhm
Maksymalny prąd drenu: 150A
Maksymalna tracona moc: 140W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT