IRLD014PBF
Symbol Micros:
TIRLD014
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 10V; 280mOhm; 1,7A; 1,3W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 280mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,3W |
| Obudowa: | PDIP04HVMDIP |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRLD014 RoHS
Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4800 | 1,3800 | 1,0800 | 1,0200 | 0,9900 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRLD014PBF
Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP
Magazyn zewnętrzny:
1305 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0651 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRLD014PBF
Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP
Magazyn zewnętrzny:
1150 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4205 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 280mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,3W |
| Obudowa: | PDIP04HVMDIP |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 10V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |