IRLHS6276TRPBF International Rectifier
Symbol Micros:
TIRLHS6276
Obudowa: PQFN06(2x2)
2N-MOSFET 20V 4.5A 1.5W 45mΩ
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 45mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,5W |
| Obudowa: | PQFN06(2x2) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLHS6276TRPBF
Obudowa dokładna: PQFN06(2x2)
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6937 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLHS6276TRPBF
Obudowa dokładna: PQFN06(2x2)
Magazyn zewnetrzny:
3950 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9130 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLHS6276TRPBF
Obudowa dokładna: PQFN06(2x2)
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6659 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 45mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,5W |
| Obudowa: | PQFN06(2x2) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |