IRLHS6376
Symbol Micros:
TIRLHS6376
Obudowa: PQFN06(2x2)
Tranzystor 2xN-MOSFET; 30V; 12V; 82mOhm; 3,6A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLHS6376TRPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 82mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,5W |
| Obudowa: | PQFN06(2x2) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLHS6376TRPBF
Obudowa dokładna: PQFN06(2x2)
Magazyn zewnetrzny:
3950 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7207 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 82mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,5W |
| Obudowa: | PQFN06(2x2) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |