IRLL024N smd
Symbol Micros:
TIRLL024
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 100mOhm; 4,4A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLL024NPBF-GURT; IRLL024NTRPBF; IRLL024N-GURT;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 100mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLL024NTRPBF RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Stan magazynowy:
2030 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,3700 | 1,5000 | 1,1800 | 1,0800 | 1,0300 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLL024NTRPBF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
224000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0300 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLL024NTRPBF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
4950 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0300 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 100mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 16V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |