IRLL024Z
Symbol Micros:
TIRLL024z
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 57,5mOhm; 5,1A; 2,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLL024ZPBF; IRLL024ZTRPBF 2.5K/RL;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 57,5mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 5,1A |
Maksymalna tracona moc: | 2,8W |
Obudowa: | SOT223 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLL024ZTRPBF RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Stan magazynowy:
480 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,9300 | 2,6100 | 2,1600 | 1,9500 | 1,8700 |
Rezystancja otwartego kanału: | 57,5mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 5,1A |
Maksymalna tracona moc: | 2,8W |
Obudowa: | SOT223 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |