IRLL110

Name: TIRLL110 TIRLL110
Brand: Vishay
SKU: TIRLL110
Price: 0.908030 PLN
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRLL110

Obudowa: SOT223

Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 760mOhm; 1,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLL110PBF; IRLL110TRPBF; IRLL110TRPBF-BE3

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	760mOhm
Maksymalny prąd drenu:	1,5A
Maksymalna tracona moc:	3,1W
Obudowa:	SOT223
Producent:	VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło:	100V
Typ tranzystora:	N-MOSFET

Producent: Siliconix Symbol producenta: IRLL110TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r

Stan magazynowy:

15 szt.

ilość szt.	2+	15+	100+	300+	1000+
cena netto (PLN)	2,1300	1,1800	0,9310	0,8780	0,8500

Producent: Vishay Symbol producenta: IRLL110TRPBF Obudowa dokładna: SOT223

Magazyn zewnetrzny:

7500 szt.

ilość szt.	2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,8500

Producent: Vishay Symbol producenta: IRLL110TRPBF Obudowa dokładna: SOT223

Magazyn zewnetrzny:

4100 szt.

ilość szt.	50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,9080

Producent: - Symbol producenta: IRLL110TRPBF Obudowa dokładna: SOT223

Magazyn zewnetrzny:

27500 szt.

ilość szt.	1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,8500

Producent: Vishay Symbol producenta: IRLL110TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa

Stan magazynowy:

100 szt.

ilość szt.	2+	15+	100+	300+	1000+
cena netto (PLN)	2,1300	1,1800	0,9310	0,8780	0,8500

Rezystancja otwartego kanału:	760mOhm
Maksymalny prąd drenu:	1,5A
Maksymalna tracona moc:	3,1W
Obudowa:	SOT223
Producent:	VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło:	100V
Typ tranzystora:	N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	10V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 150°C
Montaż:	SMD

Ilość szt.	2+	15+	100+	300+	1000+
cena netto (PLN)	2,1000	1,1600	0,9180	0,8660	0,8380