IRLL2705 smd
Symbol Micros:
TIRLL2705
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 65mOhm; 5,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLL2705TRPBF; IRLL2705PBF-GURT;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 65mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRLL2705 RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,5900 | 2,2500 | 1,8700 | 1,6700 | 1,5600 |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRLL2705TRPBF RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
64 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,5900 | 2,2500 | 1,8700 | 1,6700 | 1,5600 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLL2705TRPBF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
18800 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,5600 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLL2705TRPBF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
375000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,5600 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLL2705TRPBF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
107500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,5600 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 65mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 16V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |