IRLL3303

Symbol Micros: TIRLL3303
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 16V; 45mOhm; 6,5A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLL3303PBF; IRLL3303TRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 45mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6,5A
Maksymalna tracona moc: 2,1W
Obudowa: SOT223
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRLL3303 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 13,0900 11,2600 10,5400 10,1600 10,0700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 45mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6,5A
Maksymalna tracona moc: 2,1W
Obudowa: SOT223
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD