IRLML0030TRPBF JGSEMI
Symbol Micros:
TIRLML0030tr JGS
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 125°C Odpowiednik: IRLML0030TRPBF; SP001568604;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 40mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,4W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | JGSEMI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 40mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,4W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | JGSEMI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 125°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRLML0030TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 5,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0030TRPBF; IRLML0030PBF; IRLML0030PBF-GURT; IRLML0030; IRLML0030TR; IRLML0030TRPBF;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLML0030TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
38721 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,0700 | 0,5660 | 0,4390 | 0,4050 | 0,3880 |
Sposób pakowania: 3000/75000
Ilość (wielokrotność 1)
IRLML0030TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 5,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C Odpowiednik: IRLML0030TRPBF; SP001568604;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
IRLML0030TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
6000 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,9680 | 0,4910 | 0,2970 | 0,2360 | 0,2150 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
IRLML0030TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C Odpowiednik: IRLML0030TRPBF; SP001568604;
Producent:
HXY MOSFET
Symbol producenta:
IRLML0030TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
2750 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,8750 | 0,4150 | 0,2340 | 0,1770 | 0,1590 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)