IRLML2030TRPBF
Symbol Micros:
TIRLML2030
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 154mOhm; 2,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2030TRPBF; IRLML2030PBF; IRLML2030;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 154mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,7A |
Maksymalna tracona moc: | 1,3W |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLML2030TRPBF
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
519000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1958 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLML2030TRPBF
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
189000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2041 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLML2030TRPBF
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
4800 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2427 |
Rezystancja otwartego kanału: | 154mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,7A |
Maksymalna tracona moc: | 1,3W |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |