IRLML2060

Symbol Micros: TIRLML2060
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 16V; 640mOhm; 1,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2060TR; IRLML2060TRPBF; IRLML2060PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 640mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,2A
Maksymalna tracona moc: 1,25W
Obudowa: SOT23
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML2060TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
19910 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2200 0,6480 0,5020 0,4640 0,4440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML2060TRPBF Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
630000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML2060TRPBF Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
12800 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 640mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,2A
Maksymalna tracona moc: 1,25W
Obudowa: SOT23
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta