IRLML2803

Symbol Micros: TIRLML2803
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2803TRPBF; IRLML2803PBF; IRLML2803GTRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 400mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,2A
Maksymalna tracona moc: 540mW
Obudowa: SOT23
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML2803TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
3217 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1400 0,6070 0,4710 0,4340 0,4160
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML2803TRPBF Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
834000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4160
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML2803TRPBF Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
24600 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4160
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 400mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,2A
Maksymalna tracona moc: 540mW
Obudowa: SOT23
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD