IRLML2803
Symbol Micros:
TIRLML2803
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2803TRPBF; IRLML2803PBF; IRLML2803GTRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 400mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 1,2A |
Maksymalna tracona moc: | 540mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLML2803TR RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
3217 szt.
ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,1400 | 0,6070 | 0,4710 | 0,4340 | 0,4160 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLML2803TRPBF
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
834000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,4160 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLML2803TRPBF
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
24600 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,4160 |
Rezystancja otwartego kanału: | 400mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 1,2A |
Maksymalna tracona moc: | 540mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |