IRLML2803

Symbol Micros: TIRLML2803

Obudowa: SOT23

Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2803TRPBF; IRLML2803PBF; IRLML2803GTRPBF;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	400mOhm
Maksymalny prąd drenu:	1,2A
Maksymalna tracona moc:	540mW
Obudowa:	SOT23
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	30V
Typ tranzystora:	N-MOSFET

Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML2803TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r

Stan magazynowy:

3217 szt.

ilość szt.	3+	20+	100+	300+	1000+
cena netto (PLN)	1,1400	0,6070	0,4710	0,4340	0,4160

Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML2803TRPBF Obudowa dokładna: SOT23

Magazyn zewnetrzny:

834000 szt.

ilość szt.	3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,4160

Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML2803TRPBF Obudowa dokładna: SOT23

Magazyn zewnetrzny:

24600 szt.

ilość szt.	100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,4160

Rezystancja otwartego kanału:	400mOhm
Maksymalny prąd drenu:	1,2A
Maksymalna tracona moc:	540mW
Obudowa:	SOT23
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	30V
Typ tranzystora:	N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	20V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 150°C
Montaż:	SMD

Ilość szt.	5+	20+	100+	500+	2000+
cena netto (PLN)	1,0900	0,5530	0,3330	0,2630	0,2430