IRLML5203
Symbol Micros:
TIRLML5203
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 165mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML5203TRPBF; IRLML5203PBF; IRLML5203TR;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 165mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 3A |
Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLML5203TR RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
4285 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,2500 | 0,6930 | 0,4610 | 0,3840 | 0,3580 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLML5203TRPBF
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
1155000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,3580 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLML5203TRPBF
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
180800 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,3580 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLML5203TRPBF
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
66000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,3580 |
Rezystancja otwartego kanału: | 165mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 3A |
Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |