IRLML6401

Symbol Micros: TIRLML6401 KEX
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 125mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,3A
Maksymalna tracona moc: 1,3W
Obudowa: SOT23
Producent: KEXIN
Maksymalne napięcie dren-źródło: 12V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: KEXIN Symbol producenta: IRLML6401TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,9730 0,5320 0,3490 0,3020 0,2780
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Rezystancja otwartego kanału: 125mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,3A
Maksymalna tracona moc: 1,3W
Obudowa: SOT23
Producent: KEXIN
Maksymalne napięcie dren-źródło: 12V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD