IRLML6402
Symbol Micros:
TIRLML6402
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6402TRPBF; IRLML6402PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 135mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 3,7A |
Maksymalna tracona moc: | 1,3W |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | INFINEON |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLML6402TR RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
3 szt.
ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,3700 | 0,7280 | 0,5640 | 0,5210 | 0,4990 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLML6402TRPBF RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
9475 szt.
ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,2600 | 0,6680 | 0,5180 | 0,4780 | 0,4580 |
Rezystancja otwartego kanału: | 135mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 3,7A |
Maksymalna tracona moc: | 1,3W |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | INFINEON |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |