IRLML6402
Symbol Micros:
TIRLML6402 TEC
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6402TRPBF; IRLML6402PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 135mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,3W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | TECH PUBLIC |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 135mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,3W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | TECH PUBLIC |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |