IRLR2905 DPAK

Symbol Micros: TIRLR2905 c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR2905PBF; IRLR2905TRLPBF; IRLR2905TRPBF; IRLR2905TRRPBF; SP0015;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 38mOhm
Maksymalny prąd drenu: 30A
Maksymalna tracona moc: 34,7W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 38mOhm
Maksymalny prąd drenu: 30A
Maksymalna tracona moc: 34,7W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD