IRLR2905Z

Name: TIRLR2905z TIRLR2905z
Brand: Infineon
SKU: TIRLR2905z
Price: 2.550000 PLN
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRLR2905z

Obudowa: TO252 (DPACK)

Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 22,5mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR2905ZPBF; IRLR2905ZTRPBF; IRLR2905ZTRLPBF; IRLR2905ZPBF-GURT;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	22,5mOhm
Maksymalny prąd drenu:	60A
Maksymalna tracona moc:	110W
Obudowa:	TO252 (DPACK)
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	55V
Typ tranzystora:	N-MOSFET

Producent: Infineon Symbol producenta: IRLR2905ZTR RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r

Stan magazynowy:

4435 szt.

ilość szt.	1+	5+	20+	100+	400+
cena netto (PLN)	4,8500	3,3900	2,8800	2,6400	2,5500

Producent: Infineon Symbol producenta: IRLR2905ZTR RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r

Stan magazynowy:

5 szt.

ilość szt.	1+	2+	3+	5+	15+
cena netto (PLN)	4,8500	3,8800	3,4700	3,0800	2,5500

Producent: Infineon Symbol producenta: IRLR2905ZTRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)

Magazyn zewnętrzny:

4000 szt.

ilość szt.	2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	2,5500

Producent: Infineon Symbol producenta: IRLR2905ZTRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)

Magazyn zewnętrzny:

2150 szt.

ilość szt.	50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	2,5500

Rezystancja otwartego kanału:	22,5mOhm
Maksymalny prąd drenu:	60A
Maksymalna tracona moc:	110W
Obudowa:	TO252 (DPACK)
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	55V
Typ tranzystora:	N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	16V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 175°C
Montaż:	SMD

Ilość szt.	2+	10+	30+	100+	400+
cena netto (PLN)	2,8700	1,8000	1,5000	1,3300	1,2500