IRLR2908

Symbol Micros: TIRLR2908 c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 24mOhm; 31A; 53,5W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRLR2908TRPBF-TP; IRLR2908TRPBF-VB;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 24mOhm
Maksymalny prąd drenu: 31A
Maksymalna tracona moc: 53,5W
Obudowa: TO252
Producent: TECH PUBLIC
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: TECH PUBLIC Symbol producenta: IRLR2908TRPBF-TP RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 3,8900 2,5800 2,1400 1,9300 1,8500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 24mOhm
Maksymalny prąd drenu: 31A
Maksymalna tracona moc: 53,5W
Obudowa: TO252
Producent: TECH PUBLIC
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD