IRLR3410TR UMW
Symbol Micros:
TIRLR3410 UMW
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 155mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 17A |
| Maksymalna tracona moc: | 79W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | UMW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 155mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 17A |
| Maksymalna tracona moc: | 79W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | UMW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 16V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRLR3410
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
Producent:
International Rectifier
Symbol producenta:
IRLR3410TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
46 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 700+ |
| cena netto (PLN) | 3,9100 | 2,4700 | 1,9400 | 1,7700 | 1,7000 |
Sposób pakowania: 700
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
International Rectifier
Symbol producenta:
IRLR3410TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
Stan magazynowy
200 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 300+ | 900+ |
| cena netto (PLN) | 3,6600 | 2,3200 | 1,8300 | 1,6400 | 1,5900 |
Sposób pakowania: 300
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLR3410TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
Stan magazynowy
1556000 szt.
| Ilość szt. | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 1,7000 |
Sposób pakowania: 2000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLR3410TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
Stan magazynowy
192000 szt.
| Ilość szt. | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 1,7000 |
Sposób pakowania: 2000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLR3410TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
Stan magazynowy
15000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 1,7000 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
IRLR3410TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 130mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
Producent:
HXY MOSFET
Symbol producenta:
IRLR3410TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
75 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
| cena netto (PLN) | 2,4200 | 1,5200 | 1,2600 | 1,1200 | 1,0500 |
Sposób pakowania: 100
Ilość (wielokrotność 1)
IRLR3410TRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 140mOhm; 10A; 5W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
Producent:
JGSEMI
Symbol producenta:
IRLR3410TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
200 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 2,2300 | 1,3500 | 1,0400 | 0,9350 | 0,8900 |
Sposób pakowania: 200
Ilość (wielokrotność 1)
IRLR3410TRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
Producent:
MOSLEADER
Symbol producenta:
IRLR3410TRPBF-ML RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
160 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 2,2700 | 1,3800 | 1,0600 | 0,9550 | 0,9090 |
Sposób pakowania: 200
Ilość (wielokrotność 1)