IRLR3705Z
Symbol Micros:
TIRLR3705z
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 12mOhm; 89A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3705ZPBF; IRLR3705ZTRPBF; IRLR3705ZPBF-GURT; IRLR3705ZTRPBF-BL;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 12mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 89A |
| Maksymalna tracona moc: | 130W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLR3705ZTR RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy:
621 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,3900 | 5,0700 | 4,3100 | 3,9600 | 3,7600 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLR3705ZTRPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,7600 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLR3705ZTRPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
1550 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,7600 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 12mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 89A |
| Maksymalna tracona moc: | 130W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 16V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |