IRLR6225PBF TO-252-3
Symbol Micros:
TIRLR6225
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 5,2mOhm; 100A; 63W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR6225TRPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 5,2mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 63W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRLR6225 RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
375 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,4700 | 2,1900 | 1,7200 | 1,5600 | 1,5100 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLR6225TRPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,5100 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 5,2mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 63W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |