IRLS4030
Symbol Micros:
TIRLS4030
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRLS4030PBF; IRLS4030TRLPBF; IRLS4030PBF-GURT; IRLS4030TRLPBF obsolete;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 180mA |
| Maksymalna tracona moc: | 370W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRLS4030TRLPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 14,8800 | 12,3000 | 10,7800 | 10,0400 | 9,6000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLS4030TRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnętrzny:
610 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,6000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 180mA |
| Maksymalna tracona moc: | 370W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 16V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |