IRLU 3110 Z PBF TO251
Symbol Micros:
TIRLU3110z
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 16V; 16mOhm; 63A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU3110ZPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 16mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 63A |
Maksymalna tracona moc: | 140W |
Obudowa: | TO251 (IPACK) |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRLU3110Z RoHS
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
55 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 75+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 8,6400 | 6,6400 | 5,9000 | 5,5600 | 5,4000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLU3110ZPBF
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
26451 szt.
ilość szt. | 225+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 5,4000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLU3110ZPBF
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
95 szt.
ilość szt. | 15+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 5,4000 |
Rezystancja otwartego kanału: | 16mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 63A |
Maksymalna tracona moc: | 140W |
Obudowa: | TO251 (IPACK) |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 16V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |