IRLZ14
Symbol Micros:
TIRLZ14
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 10V; 280mOhm; 10A; 43W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ14PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 280mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 43W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRLZ14 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,7600 | 1,7300 | 1,3600 | 1,2800 | 1,2000 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRLZ14PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
14004 szt.
| ilość szt. | 450+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2000 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRLZ14PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
925 szt.
| ilość szt. | 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6002 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 280mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 43W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 10V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |