IXFN360N10T
Symbol Micros:
TIXFN360n10t
Obudowa: SOT227B
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 2,6mOhm; 360A; 830W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,6mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 360A |
| Maksymalna tracona moc: | 830W |
| Obudowa: | SOT227B |
| Producent: | IXYS |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 100V |
Producent: IXYS
Symbol producenta: IXFN360N10T
Obudowa dokładna: SOT227B
Magazyn zewnetrzny:
10 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 96,1020 |
Producent: LITTELFUSE
Symbol producenta: IXFN360N10T
Obudowa dokładna: SOT227B
Magazyn zewnetrzny:
280 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 102,8434 |
Producent: LITTELFUSE
Symbol producenta: IXFN360N10T
Obudowa dokładna: SOT227B
Magazyn zewnetrzny:
174 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 87,2675 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,6mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 360A |
| Maksymalna tracona moc: | 830W |
| Obudowa: | SOT227B |
| Producent: | IXYS |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | Przykręcany |