IXFN360N10T

Symbol Micros: TIXFN360n10t
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT227B
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 2,6mOhm; 360A; 830W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2,6mOhm
Maksymalny prąd drenu: 360A
Maksymalna tracona moc: 830W
Obudowa: SOT227B
Producent: IXYS
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 100V
Producent: LITTELFUSE Symbol producenta: IXFN360N10T Obudowa dokładna: SOT227B  
Magazyn zewnetrzny:
274 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 85,2892
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: LITTELFUSE Symbol producenta: IXFN360N10T Obudowa dokładna: SOT227B  
Magazyn zewnetrzny:
280 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 100,5120
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: IXYS Symbol producenta: IXFN360N10T Obudowa dokładna: SOT227B  
Magazyn zewnetrzny:
10 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 87,0471
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 2,6mOhm
Maksymalny prąd drenu: 360A
Maksymalna tracona moc: 830W
Obudowa: SOT227B
Producent: IXYS
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: Przykręcany