IXFN360N10T
Symbol Micros:
TIXFN360n10t
Obudowa: SOT227B
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 2,6mOhm; 360A; 830W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 2,6mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 360A |
Maksymalna tracona moc: | 830W |
Obudowa: | SOT227B |
Producent: | IXYS |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 100V |
Producent: LITTELFUSE
Symbol producenta: IXFN360N10T
Obudowa dokładna: SOT227B
Magazyn zewnetrzny:
274 szt.
ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 85,2892 |
Producent: LITTELFUSE
Symbol producenta: IXFN360N10T
Obudowa dokładna: SOT227B
Magazyn zewnetrzny:
280 szt.
ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 100,5120 |
Producent: IXYS
Symbol producenta: IXFN360N10T
Obudowa dokładna: SOT227B
Magazyn zewnetrzny:
10 szt.
ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 87,0471 |
Rezystancja otwartego kanału: | 2,6mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 360A |
Maksymalna tracona moc: | 830W |
Obudowa: | SOT227B |
Producent: | IXYS |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | Przykręcany |