KD367B

Symbol Micros: TKD367b
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 3
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 750; 60W; 100V; 8A; 7MHz;
Parametry
Moc strat: 60W
Częstotliwość graniczna: 7MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Producent: Tesla
Obudowa: TO 3
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: Tesla Symbol producenta: KD367B Obudowa dokładna: TO 3 karta katalogowa
Stan magazynowy:
77 szt.
ilość szt. 2+ 5+ 10+ 20+ 97+
cena netto (PLN) 2,2500 1,5900 1,3000 1,1100 0,9000
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów Sposób pakowania:
97
Moc strat: 60W
Częstotliwość graniczna: 7MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Producent: Tesla
Obudowa: TO 3
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta